| Конфигурация : | n-p-n |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора постоянный: 400 мА |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора импульсный: 800 мА |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер: 60 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-база: 60 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база: 4 В |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая макс.: 0,8 Вт |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: 40-200 |
|---|
| Напряжение : | насыщения между коллектором и эмиттером: <1,2 В |
|---|
| Ток : | коллектора обратный: <10 мА |
|---|
| Ток : | эмиттера обратный: <10 мА |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: 200 МГц |
|---|
| Максимальная температура : | перехода: 120 °С |
|---|
| Рабочая температура : | -40…+85 °С |
|---|
|
Транзисторные матрицы КТС613Б состоят из четырех электрически
изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n
переключающих высокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и
переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных
машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса матрицы не более 4 г.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2ts613_kts613.pdf) |
|
